EM39LV088
8M位（ 1Mx8 ）闪存
规范
扇区/块擦除
该EM39LV088同时提供扇区擦除和块擦除模式。在扇区（或块）
擦除操作使系统可以擦除设备上的一个扇区到扇区（或
块逐块）的基础。扇区结构是基于4 K字节均匀扇区大小。
的块结构是基于64 K字节均一的块大小。扇区擦除
通过执行与扇区擦除命令6字节的命令序列，启动运行
（30H ），并在最后一个总线周期扇区地址（SA） 。由开始的块擦除操作
执行一个6字节的命令序列，块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块地址被锁存，下降沿
第六WE＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的上升沿
6个WE ＃脉冲。第六WE ＃脉冲后的内部擦除操作开始。该
结束擦除操作可以通过使用数据＃查询或翻转位确定
方法。参见图7和8的时序波形。在发出的任何命令
部门或块擦除操作将被忽略。
数据＃查询（ DQ7 ）
当EM39LV088在内部编程操作，任何尝试读取DQ7会
产生的真实数据的补码。一旦程序操作完成后， DQ7
将产生的真实数据。请注意，即使DQ7可能会立即有效数据
在完成内部程序运行之后，剩余的数据输出仍然可能
而无效（有效数据的全部数据总线上会出现后续读周期
1微秒的时间间隔后） 。在内部擦除操作，任何尝试读取DQ7的意志
产生一个'0'。一旦内部擦除操作完成后， DQ7将产生“1” 。该
数据＃查询后的第4个WE ＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作的上升沿有效。
对于扇区擦除，块擦除或全片擦除，数据＃查询后的上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图4数据＃查询时序图，图13
为一个流程图。
翻转位（ DQ6 ）
在内部编程或擦除操作，任何尝试连续读取DQ6会
产生交变1和0 ，即1和0。当内部编程或间切换
擦除操作完成时， DQ6位将停止切换。该设备就准备好了
接下来的操作。切换位后的第4个WE ＃ （或CE ＃）脉冲的上升沿有效
程序操作。对于扇区擦除，块擦除或芯片擦除，翻转位是有效的
经过6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图5翻转位时序图
图13为一个流程图。
数据保护
该EM39LV088同时提供硬件和软件功能来保护数据
无意写。
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年9月4日V1.0 ）
第5
22
EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
