EM39LV800
8M位（ 512Kx16 ）闪存
规范
概述
该EM39LV800是组织为512K ×16位的8M比特闪存。该EM39LV800
使用的编程和擦除2.7-3.6V电源。拥有高性能的闪存
内存技术， EM39LV800提供14微秒和典型字编程时间
典型的部门/块擦除的18毫秒的时间。该设备采用翻转位或数据＃查询到
检测完成计划或擦除操作。为了防止意外
写，该器件具有片上硬件和软件数据保护方案。该装置
提供典型的10万次耐用性和超过10年的数据保存。该
EM39LV800符合JEDEC标准引脚输出为X16的回忆。该
EM39LV800是在48球FBGA封装，48引脚TSOP封装形式提供，并且已知良好的裸片
（ KGD ） 。对于KGD ，请与义隆电子股份有限公司或其代表详细
信息（见附录于本规范的订购信息的底部） 。
该EM39LV800器件用于需要回忆与应用开发
的程序，数据或配置，例如， DVD播放机，DVD方便和经济的更新
R / W ， WLAN ，路由器，机顶盒等。
特点
单电源供电
全电压范围从2.7到3.6伏
进行读取和写入操作
扇区擦除功能
统一2Kword行业
块擦除功能
统一32Kword块
读取时间
访问时间： 55 ， 70和90纳秒
耗电量
工作电流：20 mA（典型值）
待机电流： 2
µA
（典型值）
擦除/编程功能
扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
块擦除时间： 18毫秒（典型值）
芯片擦除时间： 45毫秒（典型值）
字编程时间： 14μs （典型值）
芯片重写时间：8秒（典型值）
自动写时序
内部V
PP
GENERATION
结束程序或最终的擦除
发现
数据＃投票
切换位
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
引脚和软件命令集
与单电源闪存兼容
内存
高可靠性
耐力周期： 100K （典型值）
数据保存： 10年
封装选项
48针TSOP
48引脚FBGA
本规范如有变更，恕不另行通知。 （ 2004年9月4日V1.0 ）
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EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
