EM78F652N
8位微控制器
1
概述
该EM78F652N是一个8位的微处理器设计和低功耗的发展，
高速CMOS技术和高抗干扰能力。它有一个内置的2K ×13位
在系统可编程EEPROM电气闪存& 256 × 8位。它提供
三个保护位，以防止用户的闪存代码的入侵。十二选项
位也可用来满足用户的要求。
其闪存ROM的特征，该EM78F652N提供了一种方便的方式
开发和验证用户的程序。此外，此Flash -ROM设备报价
简单有效的程序更新的优势，使用和发展
编程工具。用户可以使用义隆烧录器能够轻松地编写自己的
开发代码。
2
特点
工作电压： 2.0V - 5.5V
工作温度： -40℃ 〜 85℃
耐力： 100K写入/擦除周期
超过10年的数据保存
工作频率范围（基于2个时钟） ：
•
晶振模式： DC〜 20MHz的电压为5V ， DC〜 8MHz的电压为3V ， DC〜 2.0V时的4MHz
•
ERC模式： DC〜 16MHz的电压为5V ， DC〜 8MHz的电压为3V ， DC〜 2.0V时的4MHz
•
IRC模式： DC〜 16MHz时为4.5 〜 5.5V ， DC〜 4MHz时在2.0V 〜 5.5V
低功耗：
•
在5V / 4MHz时小于2mA
•
20
µA
一般在3V / 32kHz的
•
2
µA
典型的，在睡眠模式
2K × 13位闪存
四个可编程电平电压检测（LVD ）
•
VDD电源监控器，并支持低电压检测中断标志
三安寄存器来防止闪存代码的入侵
一个配置寄存器，以适应用户的要求
144 ×8位片内寄存器（ SRAM ，通用寄存器）
256字节的系统内可编程EEPROM
•
耐力：100,000写/擦除周期
产品规格（ V1.2 ） 2006年8月1日
（此规格如有变更，恕不另行通知）
•
1
EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
