EM78P211/2N
8位OTP微
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概述
EM78P211N和EM78P212N 8位微处理器设计，具有低功耗和高速CMOS开发
技术。在该系列中的每个装置具有作为一个片2K × 13位一次性可编程只读存储器
（OTP -ROM）。每提供一个保护位，以防止用户的OTP存储器的代码的入侵。两个代码选项位
也可满足用户的要求。
其增强的OTP -ROM的特性，每个器件提供了开发和验证用户的一个方便的方法
程序。此外，该OTP设备提供了方便有效的更新程序的优势，开发利用
和编程工具。用户可以使用义隆烧录器能够轻松地编写自己的开发代码。
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特点
CPU配置
漂移率
内部RC
电压
频率温度
过程
(-40
°C
+85
°C
) (2.1V~5.5V)
总
•
2K ×13位的片上OTP -ROM
•
80 ×8位片内寄存器（ SRAM ）
•
8级堆栈用于子程序嵌套
•
3级可编程欠压复位
（ LVR ） ： 4.0V ， 3.0V ， 2.5V
•
小于1.5毫安5V / 4MHz时
•
通常15
µA,
在3V / 32KHz的
•
通常2
µA,
在睡眠模式
I / O端口配置
•
4个双向I / O端口： P5 ， P6 ， P7和P8
•
唤醒端口： P6
•
22 I / O引脚
•
8个可编程下拉I / O引脚
•
8个可编程上拉I / O引脚
•
8个可编程漏极开路I / O引脚
•
16可编程高灌电流I / O引脚
•
8可编程的高驱动电流I / O引脚
•
外部中断： P77 ， P71
工作电压范围：
•
OTP版本：
工作电压范围： 2.1V 〜 5.5V （商业）
工作电压范围： 2.3V 〜 5.5V （工业）
工作温度范围：
工作温度范围： 0 ° C〜 70 ° C（商业）
工作温度范围： -40 ° C〜 85 ° C（工业级）
工作频率范围
•
水晶模式：
DC〜 12MHz的/ 2 CLKS @ 4.0V ; DC〜 166ns研究所。循环@
4.0V
DC〜 8MHz的/ 2 CLKS @ 3V ; DC〜 250ns的研究所。循环@ 3V
•
ERC模式：
DC〜 16MHz的/ 2 CLKS @ 4.5V ; DC〜 125ns的研究所。循环@
4.5V
DC〜 8MHz的/ 2 CLKS @ 3V ; DC〜 250ns的研究所。循环@ 3V
•
IRC模式：
振荡方式： 16MHz时， 4兆赫， 1兆赫， 455 kHz时
工艺偏差：典型值
±
3％ ，最大值
±
5%
温度偏差：
±
5% (-40
°
C~85
°
C)
4MHz
16MHz
1MHz
455MHz
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±4%
±4%
±4%
±4%
±14%
±14%
±14%
±14%
所有这四个主频可以通过修剪
有四个校准位在ICE220N编程
模拟器。 OTP是自动修剪义隆作家
（ DWTR ） 。
快速建立时间只需要800μs （ VDD ： 5V ，
水晶： 4MHz时， C1 / C2 ： 30pF的）在HXT2模式是64μs的
IRC模式（ VDD ： 5V IRC ： 4MHz时）
外设配置
8位实时时钟/计数器（ TCC），其
信号源，触发边沿，和溢出中断
•
一个比较器
（偏移电压小于10mV的）
五个可用的中断
TCC溢出中断
输入端口的状态变化中断（从醒来
睡眠模式）
•
两个外部中断
•
比较高/低中断
特殊功能
可编程自由运行看门狗定时器
每个指令周期两个时钟
上电可用的电压检测器（ 1.8 V± 0.1V ）
高EFT免疫（在4MHz或更好的性能
下面
•
节电睡眠模式
•
可选择的振荡模式
套餐类型：
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20引脚DIP 300MIL
20引脚SOP 300MIL
20引脚SSOP 209mil
24引脚裸泳300MIL
24引脚SOP 300MIL
24引脚SSOP 209mil
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EM78P211NPS/NPJ
EM78P211NMS/NMJ
EM78P211NAMS/NAMJ
EM78P212NKS/NKJ
EM78P212NMS/NMJ
EM78P212NAMS/NAMJ
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产品规格（ V1.0 ） 2007年3月20日
（此规格如有变更，恕不另行通知）
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EMC [ ELAN MICROELECTRONICS CORP ]
