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EM6320FP32FT-12S 参数 Datasheet PDF下载

EM6320FP32FT-12S图片预览
型号: EM6320FP32FT-12S
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内容描述: 256K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 188 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
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merging Memory & Logic Solutions Inc.
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
Parameter
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
NOTES
EM620FV8AT Series
Low Power, 256Kx8 SRAM
Symbol
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
Test Condition
I
SB1
Test Condition
(Chip Disabled)
1)
Min
1.5
-
0
Typ
-
-
-
-
Max
3.6
5
-
Unit
V
µA
V
CC
=1.5V, I
SB1
Test Condition
(Chip Disabled)
1)
See data retention wave form
ns
t
RC
-
1. See the I
S B 1
measurement condition of datasheet page 4.
DATA RETENTION WAVE FORM
CS
1
Controlled
V
cc
2.7V
t
SDR
Data Retention Mode
t
RDR
2.2V
V
DR
CS
1
GND
CS
1
> Vcc-0.2V
CS
2
Controlled
V
cc
2.7V
CS
2
t
SDR
Data Retention Mode
t
RDR
V
DR
0.4V
CS
2
< 0.2V
GND
9
Rev 0.2