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    EM621FV16BW-12L 参数 Datasheet PDF下载

    EM621FV16BW-12L图片预览
    型号： EM621FV16BW-12L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 188 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM621FV16BW-12L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EM621FV16BW-12L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM621FV16BW-12L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM621FV16BW-12L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM621FV16BW-12L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM621FV16BW-12L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM621FV16BW-12L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM621FV16BW-12L的Datasheet PDF文件第9页  
    融合存储&逻辑解决方案公司
    特点
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    工艺技术：采用0.18μm CMOS全
    组织： 64K ×16位
    电源电压： 2.7V 〜 3.6V
    低数据保持电压： 1.5V （最小值）。
    三态输出与TTL兼容
    封装类型： 44 TSOP2
    EM611FV16U系列
    低功耗， 64Kx16 SRAM
    概述
    该EM611FV16U家庭由EMLSI的制作
    先进的全CMOS工艺技术。家庭
    支持工业级温度范围及芯片级
    包装系统设计的用户灵活性。该fami-
    在于还支持低数据保持电压的电池
    备份操作具有低的数据保持电流。
    产品系列
    功耗
    产品
    家庭
    EM611FV16U
    操作
    温度
    工业级（-40 〜 85
    o
    C)
    VCC范围
    速度
    待机
    (I
    SB1
    ， TYP 。 ）
    0.5
    µA
    2 )
    操作
    (I
    CC1
    的.max ）。
    3毫安
    PKG型
    2.7V~3.6V
    55
    1)
    /70ns
    44 TSOP2
    1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
    2.典型值是在Vcc = 3.3V ，T测
    A
    =25
    o
    C和不是100 ％测试。
    引脚说明
    功能框图
    A4
    A3
    A2
    A1
    A0
    CS
    I/O1
    I/O2
    I/O3
    I/O4
    VCC
    VSS
    I/O5
    I/O6
    I/O7
    I/O8
    WE
    A15
    A14
    A13
    A12
    NC
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    16
    17
    18
    19
    20
    21
    22
    44
    43
    42
    41
    40
    39
    38
    37
    36
    A5
    A6
    A7
    OE
    UB
    LB
    I/O16
    I/O15
    I/O14
    I/O13
    VSS
    VCC
    I/O12
    I/O11
    I/O10
    I/O9
    NC
    A8
    A9
    A10
    A11
    NC
    A
    0
    A
    1
    A
    2
    A
    3
    A
    4
    A
    5
    A
    6
    A
    7
    A
    8
    A
    9
    数据
    CONT
    数据
    CONT
    预充电电路
    V
    C
    C
    行拣选的人
    V
    SS
    存储阵列
    1024 x 1024
    44 - TSOP2
    35
    34
    33
    32
    31
    30
    29
    28
    27
    26
    25
    24
    23
    I / O1 〜 I / O8
    I / O9 〜 I / O16
    I / O电路
    列选择
    A A
    11
    10
    A
    12
    A
    13
    A
    14
    A
    15
    W
    E
    O
    E
    UB
    控制逻辑
    名字
    CS
    OE
    WE
    A
    0
    ~A
    15
    功能
    片选输入
    输出使能输入
    写使能输入
    地址输入
    名字
    VCC
    VSS
    UB
    LB
    NC
    功能
    电源
    地
    高字节（ I / O
    9~16
    )
    低字节（ I / O
    1~8
    )
    无连接
    LB
    CS
    I / O
    1
    -I / O
    16
    数据输入/输出
    2

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