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    EM621FV16AW85S 参数 Datasheet PDF下载

    EM621FV16AW85S图片预览
    型号： EM621FV16AW85S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [128K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 70 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM621FV16AW85S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM621FV16AW85S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM621FV16AW85S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM621FV16AW85S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM621FV16AW85S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM621FV16AW85S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM621FV16AW85S的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM621FV16AW85S的Datasheet PDF文件第10页  
    融合存储&逻辑解决方案公司
    时序图
    读周期时序波形（ 1 ） 。
    EM610FV8系列
    低功耗， 128Kx8 SRAM
    （地址控制， CS1 = OE = V
    IL
    ， CS2 = WE = V
    IH
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OH
    数据输出
    以前的数据有效
    数据有效
    读周期时序波形（ 2 ）
    （WE = V
    IH
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    CS1
    t
    C 0
    t
    OH
    CS2
    t
    HZ
    t
    OE
    OE
    t
    OLZ
    数据输出
    高-Z
    数据有效
    t
    OHZ
    t
    LZ
    注（读周期）
    1. t
    HZ
    和T
    OHZ
    被定义为输出达到开路条件，并且不referanced到输出电压电平。
    2.在任何给定的温度和电压条件下，叔
    HZ
    （最大）小于吨
    LZ
    （分钟）都对于给定的设备和从设备到设备
    互联。
    6

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