EM620FU16B系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
128K X16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
- 工艺技术： 0.15毫米全CMOS
- 组织： 128K X16
- 电源电压
= > EM620FU16B系列： 2.7V 〜 3.3V
- 低数据保持电压： 1.5V （ MIN ）
- 三态输出与TTL兼容
- 产品包装设计的45 /55 / 70ns的
-
封装类型： 48 FPBGA
产品系列
功耗
产品
家庭
EM620FU16B-45LF
EM620FU16B-55LF
EM620FU16B-70LF
操作
温度
工业级（-40 〜 85
o
C)
工业级（-40 〜 85
o
C)
工业级（-40 〜 85
o
C)
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
1µA
1µA
1µA
操作
(I
CC1
的.max ）
3mA
3mA
3mA
PKG型
概述
该EM620FU16B系列是由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级封装
年龄为系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
该EM620FU16B系列提供KGD和
JEDEC标准的48引脚，6mm X 7毫米BGA封装。
2.7V~3.3V
2.7V~3.3V
2.7V~3.3V
45ns
55ns
70ns
48-FpBGA
48-FpBGA
48-FpBGA
PIN NAME：
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
5
6
功能框图
LB
I/O8
OE
UB
A0
A3
A5
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CS1
I/O1
I/O3
I/O4
I/O5
WE
A11
CS2
I/O0
行选择
预充电电路
I / O9 I / O10
V
SS
V
CC
I/O2
V
CC
V
SS
I/O6
I/O7
DNU
I / O11 DNU
I / O12 DNU
A14
A12
A9
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
V
SS
存储阵列
1024 x 2048
I / O14 I / O13
I / O15 DNU
DNU
A8
I / O0 - I / O7
I / O8 〜 I / O15
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
48 FPBGA ：俯视图（球下）
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
名字
CS1，CS2
OE
WE
A0~A16
I/O0~I/O15
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
UB
LB
NC
功能
电源
地
高字节（ I / O
9~16
)
低字节（ I / O
1~8
)
无连接
WE
OE
UB
LB
CS1
CS2
控制逻辑
2
EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
