EM620FU8BT系列
低功耗， 256Kx8 SRAM
256K ×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
- 工艺技术： 0.15毫米全CMOS
- 组织： 256K X8
- 电源电压
= > EM620FU8BS系列： 2.7V 〜 3.3V
- 低数据保持电压： 1.5V （ MIN ）
- 三态输出与TTL兼容
- 产品包装设计的45 /55 / 70ns的
-
封装类型： 32 TSOP1
产品系列
产品
家庭
EM620FU8BT-45LF
EM620FU8BT-55LF
EM620FU8BT-70LF
操作
温度
工业级（-40 〜 85
o
C)
工业级（-40 〜 85
o
C)
工业级（-40 〜 85
o
C)
功耗
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
1µA
1µA
1µA
操作
(I
CC1
的.max ）
3mA
3mA
3mA
PKG型
概述
该EM620FU8BT系列是由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级封装
年龄为系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
该EM620FU8BT系列提供KGD ， JEDEC
标准的32引脚采用8mm x 20毫米TSOP 。
2.7V~3.3V
2.7V~3.3V
2.7V~3.3V
45ns
55ns
70ns
32-TSOP1
32-TSOP1
32-TSOP1
引脚说明
功能框图
预充电电路
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
EM620FU8BT-45LF
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
VSS
I / O 2
I / O 1
I / O 0
A0
A1
A2
A3
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
V
SS
行选择
存储阵列
1024 x 2048
I / O0 - I / O7
数据
CONT
I / O电路
列选择
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
名字
CS1,CS2
OE
WE
A0~A17
I/O0~I/O7
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
NC
功能
电源
地
无连接
WE
OE
CS1
CS2
控制逻辑
2
EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
