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EM625FV8CT-55LL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM625FV8CT-55LL
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内容描述: 256K ×8位低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256K x8 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 477 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
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EM620FU8BT系列
低功耗, 256Kx8 SRAM
数据保持特性
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
笔记
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
I
SB1
测试条件
(芯片已禁用)
1)
V
CC
= 1.5V ,我
SB1
测试条件
(芯片已禁用)
1)
看到数据保存波形
1.5
-
0
t
RC
典型值
2)
-
0.5
-
-
最大
3.3
5.0
-
-
单位
V
µA
ns
1.请参阅我
SB1
数据表第4页的测量条件。
2.典型值的测定在T
A
=25
o
C和不是100 %测试。
数据保存波形
t
SDR
V
cc
3.0V
数据保持方式
t
RDR
2.2V
V
DR
CS1
GND
V
cc
3.0V
CS2
V
DR
0.4V
CS2 < 0.2V
CS1 > VCC- 0.2V
数据保持方式
t
SDR
t
RDR
GND
9