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EM625FT8D70S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM625FT8D70S
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内容描述: 256K ×8位低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256K x8 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 427 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
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EM620FV8B系列
低功耗, 256Kx8 SRAM
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
TA = -40 〜85
o
C,另有规定
过冲: V
CC
如果脉冲+ 2.0V宽<为20ns
冲:如果脉冲-2.0 V宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样,而不是100 %测试
.
电容
1)
( F = 1MHz的,T
A
=25
o
C)
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样,而不是100 %测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS1=V
IH
或CS2 = V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安, CS1 = V
IL
, CS2 = WE = V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间, 100 %的关税,我
IO
=0mA,
CS1<0.2V , CS2>V
CC
-0.2V,
V
IN
<0.2V或V
IN
& GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小,我
IO
= 0毫安, 100 %的关税,
CS1=V
IL
, CS2 = V
IH ,
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS1=V
IH
, CS2 = V
IL
,其它输入= V
IH
或V
IL
CS1>V
CC
-0.2V , CS2>V
CC
-0.2V ( CS控制)
或0V<CS2<0.2V (CS2控制) ,
其他输入= 0 〜V
CC
(典型值条件:V
CC
=3.3V @ 25
o
C)
(最大条件:V
CC
=3.6V @ 85
o
C)
测试条件
-1
-1
-
-
45ns
55ns
70ns
-
-
-
-
2.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
3
3
35
30
25
0.4
-
0.3
单位
uA
uA
mA
mA
mA
输出低电压
输出高电压
待机电流( TTL )
V
V
mA
待机电流( CMOS )
I
SB1
LF
-
1
1)
10
uA
笔记
1.典型值是在Vcc = 3.3V ,T测
A
=
25
o
C和不是100 %测试。
5