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    EM622FR16ES-45S 参数 Datasheet PDF下载

    EM622FR16ES-45S图片预览
    型号： EM622FR16ES-45S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM [128K x16 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 380 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM622FR16ES-45S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM622FR16ES-45S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM622FR16ES-45S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM622FR16ES-45S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM622FR16ES-45S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM622FR16ES-45S的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM622FR16ES-45S的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM622FR16ES-45S的Datasheet PDF文件第11页  
    EM621FV16BU系列
    低功耗， 128Kx16 SRAM
    写周期时序波形（ 3 ） （ UB ， LB控制）
    t
    WC
    地址
    t
    CW
    (2)
    CS
    t
    AW
    t
    BW
    UB ， LB
    t
    AS
    (3)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    数据输出
    高-Z
    数据有效
    t
    WR
    (4)
    t
    WP
    (1)
    t
    DH
    高-Z
    笔记
    （写周期）
    1.在重叠（ T A写操作
    WP
    ）低CS和低WE 。一开始写的时候CS变低和WE
    变低，有主张UB或LB单字节操作或同时主张UB和LB双
    字节操作。在最早转型写结束时， CS变为高电平， WE变高。经t
    WP
    is
    从写入的开始写的末端测量。
    2. t
    CW
    是从CS测量要低写入的结束。
    3. t
    AS
    从地址有效到写的开始测量的。
    4. t
    WR
    从端或写入地址变化进行测定。吨
    WR
    在适用的情况下写入结束的CS
    或者我们要高。
    8

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