EM621FV16BU系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
128K X16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
- 工艺技术： 0.15毫米全CMOS
- 组织： 128K X16
- 电源电压
= > EM621FV16BU系列： 2.7V 〜 3.6V
- 低数据保持电压： 1.5V （ MIN ）
- 三态输出与TTL兼容
- 产品包装设计的45 /55 / 70ns的
-
封装类型： 44 TSOP2
产品系列
功耗
产品
家庭
EM621FV16BU-45LF
EM621FV16BU-55LF
EM621FV16BU-70LF
操作
温度
工业级（-40 〜 85
o
C)
工业级（-40 〜 85
o
C)
工业级（-40 〜 85
o
C)
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
1
µA
1
µA
1
µA
操作
(I
CC1
的.max ）
3mA
3mA
3mA
PKG型
概述
该EM621FV16BU系列是由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级封装
年龄为系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
该EM621FV16BU系列提供KGD ， JEDEC
标准的44针400万TSOP2包。
2.7V~3.6V
2.7V~3.6V
2.7V~3.6V
45ns
55ns
70ns
44-TSOP2
44-TSOP2
44-TSOP2
引脚说明
A4
A3
A2
A1
A0
CS
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
VCC
VSS
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
功能框图
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I / O 15
I / O 14
I / O 13
I / O 12
VSS
VCC
I / O 11
I / O 10
I / O 9
I / O 8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
预充电电路
EM621FV16BU-45LF
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
V
SS
行选择
存储阵列
1024 x 2048
I / O0 - I / O7
I / O8 〜 I / O15
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
名字
CS
OE
WE
A0~A16
I/O0~I/O15
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
UB
LB
NC
功能
电源
地
高字节（ I / O
8~15
)
低字节（ I / O
0~7
)
无连接
WE
OE
UB
LB
CS
控制逻辑
2
EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
