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    EM626FS8BU-45LF 参数 Datasheet PDF下载

    EM626FS8BU-45LF图片预览
    型号： EM626FS8BU-45LF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8位低功耗全CMOS静态RAM [512K x8 bit Low Power Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 475 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM626FS8BU-45LF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM626FS8BU-45LF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM626FS8BU-45LF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM626FS8BU-45LF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM626FS8BU-45LF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM626FS8BU-45LF的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM626FS8BU-45LF的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM626FS8BU-45LF的Datasheet PDF文件第11页  
    EM641FT8T系列
    低功耗， 512Kx8 SRAM
    （我们控制， OE低）写周期（ 3 ）的时序波形
    t
    WC
    地址
    t
    CW
    CS
    t
    AW
    t
    AS
    3)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    高-Z
    t
    WHZ
    数据输出
    数据中，未定义
    数据有效
    2)
    t
    WR
    4)
    t
    WP
    1)
    t
    DH
    高-Z
    笔记
    （写周期）
    1.在重叠（ T A写操作
    WP
    ）低CS和低WE 。写在开始之间的过渡最新
    CS变低和WE变低​​。在最早转型写结束时， CS变为高电平， WE变高。
    经t
    WP
    从写入的开始写的末端测量。
    2. t
    CW
    是从CS测量要低写入的结束。
    3. t
    AS
    从地址有效到写的开始测量的。
    4. t
    WR
    从写入地址变更的端部测量的。吨
    WR
    在适用的情况下写入结束的CS
    或者我们要高。
    8

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