EM641FT8T系列
低功耗， 512Kx8 SRAM
512K ×8位低功耗CMOS静态RAM
特点
- 超高速：为45nS
- 工艺技术： 0.15um CMOS全
- 组织： 512K X8
- 电源电压
= > EM641FT8T ： 4.5V 〜 5.5V
- 低数据保持电压： 1.5V （ MIN ）
- 三态输出与TTL兼容
- 产品包装设计的45 /55 / 70ns的
-
封装类型： 32 - TSOP
产品系列
产品
家庭
EM641FT8T-45LF
EM641FT8T-55LF
EM641FT8T-70LF
操作
温度
工业级（-40 〜 85
o
C)
工业级（-40 〜 85
o
C)
工业级（-40 〜 85
o
C)
功耗
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
1.5
µA
1.5
µA
1.5
µA
操作
(I
CC1
的.max ）
7mA
7mA
7mA
PKG型
概述
该EM641FT8T由EMLSI先进制造全
CMOS工艺技术。该系列支持工业
用户灵活性温度范围和芯片级封装
相容性系统设计。家属还支持低数据
保持电压的备用电池，低运行
数据保持电流。
该EM641FT8T可在KGD ， JEDEC标准32
销8.0毫米X 20.0毫米TSOP封装。
4.5V~5.5V
4.5V~5.5V
4.5V~5.5V
45ns
55ns
70ns
32-TSOP
32-TSOP
32-TSOP
引脚说明
功能框图
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
A
17
A
15
V
CC
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
EM641FT8T
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
V
SS
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
预充电电路
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
V
SS
行选择
存储阵列
512K ×8
I / O
0
- I / O
7
数据
CONT
I / O电路
列选择
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
18
I / O
0
-I / O
7
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
V
CC
V
SS
功能
电源
地
WE
OE
CS
控制逻辑
2
EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
