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    EM680FU16A-45LF 参数 Datasheet PDF下载

    EM680FU16A-45LF图片预览
    型号： EM680FU16A-45LF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低功耗， 512Kx16 SRAM [Low Power, 512Kx16 SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 316 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM680FU16A-45LF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM680FU16A-45LF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM680FU16A-45LF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM680FU16A-45LF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM680FU16A-45LF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM680FU16A-45LF的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM680FU16A-45LF的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM680FU16A-45LF的Datasheet PDF文件第11页  
    EM680FU16A系列
    低功耗， 512Kx16 SRAM
    写周期时序波形（ 3 ） （ UB ， LB控制）
    t
    WC
    地址
    t
    CW1,2
    (2)
    CS1
    t
    WR
    (4)
    CS2
    t
    AW
    t
    BW
    UB ， LB
    t
    AS
    (3)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    数据输出
    高-Z
    数据有效
    t
    WP
    (1)
    t
    DH
    高-Z
    笔记
    （写周期）
    1.在重叠（ T A写操作
    WP
    ）低CS1 ，高CS2和低WE的。写始于最新
    间CS1过渡变为低电平，CS变为高电平和WE为低电平。在最早转型写结束
    其中CS1变为高电平， CS2变低， WE变高。经t
    WP
    从写开始时所测
    到写的末尾。
    2. t
    CW1
    从CS1测定变低或CS2变高写的末尾。
    3. t
    AS
    从地址有效到写的开始测量的。
    4. t
    WR
    从端或写入地址变化进行测定。吨
    WR
    在适用的情况下写入结束的CS1或WE
    去高或CS2变低。
    8

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