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    EM1564V1SON10B 参数 Datasheet PDF下载

    EM1564V1SON10B图片预览
    型号： EM1564V1SON10B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低功耗晶振32.768千赫 [Low Power Crystal Oscillator 32.768 kHz]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 210 K
    品牌： EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
     浏览型号EM1564V1SON10B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EM1564V1SON10B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM1564V1SON10B的Datasheet PDF文件第4页  
    R
    EM1564
    绝对最大额定值
    参数
    电压V
    DD
    到V
    SS
    在OE最小电压
    在OE最大电压
    存储温度范围
    最大焊接
    符号
    条件
    V
    DD
    -0.3V至+ 6V
    V
    民
    V
    SS
    – 0.3V
    V
    最大
    V
    DD
    + 0.3V
    T
    英镑
    -55 ° C至+ 150°C
    T
    SMAX
    260℃ X 20秒
    办理程序
    该器件还内置了防静电高
    电压或电场;然而，防静电
    必须采取预防措施作为任何其它的CMOS
    组件。除非另外指明，正确的操作
    当所有的端电压保持在只能发生
    的电压范围。未使用的输入必须始终绑
    一个定义的逻辑电压电平。
    强调以上这些上市最大额定值可能会导致
    永久损坏该设备。超越曝光
    规定的工作条件下可能影响器件
    可靠性或导致故障。
    工作条件
    参数
    电源电压
    工作温度
    符号最小值
    V
    DD
    1.2
    T
    A
    -40
    最大
    5.5
    +85
    单位
    V
    °C
    电气特性
    除非另有规定： V
    DD
    = 3.0V, V
    SS
    = 0V ，T
    A
    =25°C
    参数
    符号
    条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    电源电压范围
    V
    DD
    1.2
    3.0
    5.5
    V
    消耗电流
    I
    DD1
    V
    DD
    = 5.0V ， OE在V
    SS
    300
    550
    nA
    (Note1)
    250
    500
    nA
    V
    DD
    = 3.0V ， OE在V
    SS
    V
    DD
    = 2.0V ， OE在V
    SS
    250
    500
    nA
    750
    1000
    nA
    V
    DD
    = 5.0V ， OE在V
    SS
    顶= -40〜+ 85°C
    650
    900
    nA
    V
    DD
    = 3.0V ， OE在V
    SS
    顶= -40〜+ 85°C
    650
    900
    nA
    V
    DD
    = 2.0V ， OE在V
    SS
    顶= -40〜+ 85°C
    振荡器
    启动电压
    V
    启动
    t
    开始
    < 3S
    1.2
    V
    启动时间
    t
    启动
    0.4
    0.8
    s
    对频率稳定度
    0.2
    2
    PPM / V
    Δf/f
    *ΔV 1.5
    ≤
    V
    DD
    ≤
    5.5V
    电源电压变化
    输入
    输入电压
    V
    IL
    V
    SS
    0.2× V
    DD
    V
    V
    IH
    0.8× V
    DD
    V
    DD
    V
    产量
    占空比
    40
    50
    60
    %
    输出电压
    V
    OH
    I
    OH
    = -1.0毫安，V
    DD
    = 5.0V
    V
    DD
    -0.4
    V
    DD
    -0.1
    V
    V
    OL
    I
    OL
    = 1.0毫安， V
    DD
    = 5.0V
    0.14
    0.4
    V
    输出上升时间
    T
    r
    C
    L
    = 15pF的
    10%V
    DD
    90%V
    DD
    70
    100
    ns
    输出下降时间
    T
    f
    C
    L
    = 15pF的
    90%V
    DD
    10%V
    DD
    70
    100
    ns
    输出频率
    f
    32768
    千赫
    (Note2)
    频率容差
    Δf/f
    ±20
    PPM
    老龄化的第一年最多
    Δf/f
    ±3
    PPM
    频率与温度
    （ ΔF / F） / ° C²
    -0.035 ±10%
    PPM / ° C²
    注1 ：
    当输出时钟使能（ OE引脚在V的电流消耗
    DD
    ）是负载电容上的功能
    OUT引脚，输出频率f
    OUT
    = 32768Hz的与电源电压V
    DD
    .
    额外消耗对于给定的负载可从下式计算：
    ΔI
    DD =
    C
    负载
    X V
    DD
    架F
    OUT
    注2 ：
    严格的公差可根据要求提供。
    环境特性
    参数
    耐冲击性
    抗振性
    符号
    Δf/f
    Δf/f
    条件
    5000g, 0.3ms, �½sine
    为20g / 10-2000Hz
    民
    典型值
    最大
    ±5
    ±5
    单位
    PPM
    PPM
    版权
    ©
    2006年， EM微电子，马林SA
    2
    www.emmicroelectronic.com

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