EM4056
绝对最大额定值
参数
电压
on
动力
供应垫
其他垫压
马克斯。交流峰值电流
致于COIL1和
COIL2
储存温度
工作温度
静电放电
最大。以MIL- STS- 883C
方法3015
符号
VDD
VPAD
ICOIL
Tstore
顶部
VESD
分钟。
-0.3
马克斯。
6.0
单位
V
办理程序
该器件还内置了防静电高
电压或电场;但是，防静电措施
必须注意对于任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生时
所有的端子电压被保持的电压范围内。
未使用的输入必须连接到一个定义的逻辑
电压电平。
VSS - 0.3 VDD + 0.3
V
- 30
+ 30
地图
-55
-40
+125
+85
1000
oC
oC
V
工作条件
参数
马克斯。交流电压线圈上
马克斯。 AC线圈电流
载波频率
符号最小值
coil相当
ICOIL
fcoil
顶部
-10
100
-40
最大
（注1 ）
+10
150
+85
单位
VPP
地图
千赫
°C
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏该设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件的可靠性
或导致故障。
工作温度
注1 ：
通过强制10毫安上Coil1 ， Coil2定义
电气特性
除非另有规定： VDD = 4.0 V， VSS = 0 V ， TOP = 25°C ， V coil相当= 4.5 Vpp的， fCOIL = 125 kHz正弦波
参数
电源电压（不规范）
电源电压（调节）
分钟。 EEPROM读取电压
分钟。 EEPROM的写入电压
EEPROM中读取当前
EEPROM的写入电流
电源检查EEPROM写
当前
EEPROM PWR检查门槛
电压
EEPROM数据的耐力
EEPROM保留
电压降
调制器
（注3）
符号
VPOS - REG
条件
VPOS - REG
=最大
（注1 ）
民
3.4
2.5
2.5
典型值
最大
(Note1)
V
DD
V
RD
V
WR
I
RD
I
WR
I
PWCHK
V
PWCHK
N
CY
T
RET
on
V
ON
C
COIL
V
公屋
T
单声道
V
CLK1min
V
CLK2min
4.3
单位
V
V
V
V
读取模式
写模式
读取模式
写模式
VDD = 4.0 V
（注2 ）
19
60
70
2.52
2.75
25
80
95
3.10
µA
µA
µA
V
周期
YEAR
全部删除/写入所有
T
OP
= 55℃后， 105次循环
I
COIL
= 100
µA
I
COIL
= 5毫安
105
10
0.50
2.50
330
340
2.0
25
50
350
2.6
85
4.5
1.0
V
COIL
-
V
SS
V
V
pF
V
µs
VPP
VPP
谐振电容器
POR电压（高）
单稳态触发器延时
分钟。时钟提取器1的电压
（注4 ）
V
DD
升起
V
coil1 - coil2 （ min离心萃取）
V
coil1 - coil2 （ min离心萃取）
分钟。时钟提取2的电压
（注5 ）
注1 ：
马克斯。电源电压（不规范）是由强制直流电流10地图在销COIL1 ， COIL2定义
注2 ：
该电路是不是在低电平POR电压的功能
注3 ：
基于千小时测量在150℃
注4 ：
UPLINK
注5 ：
下行
版权
©
2005年， EM微电子，马林SA
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