EM4450
EM4550
存储结构
1024位EEPROM组织在32个字的32位。第3字被分配给该密码，则
保护字和控制字。为了写这三个词中的一个，它必须发送的有效
密码。在制作时， EM4450 / 4550自带的密码编程逻辑"0".密码的所有位
不能被读出。存储器包含激光ROM两个额外的单词。在这些字的激光编程
制造的每片，是独特的，并且不能被改变。
存储器映射
位0
WORD 0
1
3
928位用户
EEPROM
31
32
33
设备序列号
设备Identi科幻阳离子
激光
激光
------------------------------
密码
保护WORD
控制字
31位
EE
EE
EE
EE
控制字
0–7
第一个字读
8 – 15
最后一个字读
16
密码检查开/关
17
写后读开/关
18 – 31
用户可用
保护WORD
0–7
第一个字读保护
8 – 15
最后一个字读保护
16 – 23
第一个字写禁止
24 – 31
最后一个字写禁止
密码
只写 - 不读访问
设备识别字&
序列号字
激光编程 - 只读
Fig.5
手段上的位设置为逻辑“1”
OFF表示位设置为逻辑“0”
标准读模式
经过上电复位和一个命令完成后，芯片将执行标准读模式，将在其中
通过不断从词的第一个字读（ FWR ）和Last之间定义的内存段发送数据，字
字读（ LWR ） 。当最后一个字是输出，该芯片将继续与第一个字，直到收发器发送一个
请求。如果FWR和LWR是相同的，相同的字将被重复地发送。监听窗口（ LIW）产生
每个字前检查，如果收发信机发送数据。在LIW具有320的持续时间（160选择32）在RF周期
场。 FWR和LWR必须被编程为有效地址（ FWR
≤
LWR和
≤
33).
由EM4450发送的词语/ 4550包括32个数据位和奇偶位。奇偶校验位不被存储在EEPROM中，
但同时产生如下所述的消息被发送。奇偶校验是偶数行和列，这意味着该
的"1's"总数为偶数（包括校验位） 。
文字组织（字0到33 ）
第一位输出
D0
D8
D16
D24
PC0
D1
D9
D17
D25
PC1
D2
D10
D18
D26
PC2
D3
D11
D19
D27
PC3
D4
D12
D20
D28
PC4
数据
D5
D13
D21
D29
PC5
D6
D14
D22
D30
PC6
行偶校验
D7
D15
D23
D31
PC7
P0
P1
P2
P3
0
列甚至Partiy
最后位输出
逻辑“0”
图。 6
当一个字读保护的，则输出将包含在45位设置为逻辑"0".该密码将用于输出
正确读取受保护的内存区域。
版权
2003年， EM微电子，马林SA
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www.emmicroelectronic.com
EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
