EM6325
绝对最大额定值
参数
电压V
DD
到GND
在任何信号引脚的最小电压
在任何信号引脚的最大电压
静电放电最大。对
MIL -STD- 883C方法3015.7
与参考。到V
SS
马克斯。焊接条件
存储温度范围
办理程序
符号
V
DD
V
民
V
最大
V
ESD
T
最大
T
英镑
条件
-0.3V至+ 6V
GND - 0.3V
V
DD
+ 0.3V
2000V
250℃ X 10秒
-65 ° C至+ 150°C
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而，防静电
必须采取预防措施作为任何其它的CMOS
组件。除非另有说明，适当的
操作时，所有的端子电压是仅发生
保持的电压范围内。未使用的输入必须
总是被捆绑到一个定义的逻辑电压电平。
工作条件
参数
电源电压
工作温度
强调以上这些上市最大额定值可能
造成永久性的损坏该设备。曝光
超出规定的工作条件下可能影响器件
可靠性或导致故障。
符号最小值最大值单位
V
DD
T
A
0.9
-40
5.5
+125
V
°C
电气特性
除非另有规定： V
DD
= 0.9V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （注1 ） 。
参数
符号
条件
+25°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
V
DD
=3.3V
-40°C至+ 125°C
+25°C
V
DD
=5.0V
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.3
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.4
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.6
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.7
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.8
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 2.2
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 2.6
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 2.9
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 3.1
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 4.4
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 4.6
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
T
A
=+25°C
V
DD
=1.5V
民
-
-
-
-
-
-
1.290
1.245
1.221
1.359
1.311
1.286
1.546
1.492
1.463
1.635
1.577
1.547
1.773
1.710
1.678
2.167
2.090
2.050
2.591
2.499
2.451
2.886
2.784
2.731
3.034
2.926
2.871
4.334
4.180
4.101
4.561
4.399
4.315
-
典型值
2.3
2.9
3.4
1.31
最大
4.6
7
5.5
8.3
6.3
9.6
1.330
1.382
1.387
1.401
1.456
1.461
1.594
1.656
1.663
1.685
1.751
1.758
1.827
1.899
1.906
2.233
2.321
2.330
2.669
2.775
2.785
2.974
3.091
3.103
3.126
3.249
3.262
4.466
4.642
4.660
4.699
4.885
4.903
-
单位
电源电流（注2 ）
I
DD
μ
A
1.38
1.57
1.66
1.80
阈值电压
（注3）
V
TH
2.20
V
2.63
2.93
3.08
4.40
4.63
2.1%
•
V
TH
阈值迟滞
V
HYS
V
注1 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
注3 ：
阈值电压被指定为V
DD
坠落。
版权
©
2005年， EM微电子，马林SA
3
www.emmicroelectronic.com
EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
