EM6352
电气特性
参数
复位超时周期
传播延迟时间
V
DD
to
RESET
（ RESET ）延迟
漏极开路
RESET
产量
电压
（续）
除非另有规定： V
DD
= 0.8V至5.5V ，T
A
= + 25 ° C（注1 ） 。
符号
t
POR
t
P
V
OL
条件
V
DD
从0V到V
TH （典型值）
+ 15 ％ （注2 ）
V
DD
从V下降
TH （典型值）
+ 0.2V至V
TH （典型值）
-0.2V
（注2 ）
V
DD
>1V
-40°C至+ 125°C
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
I
OL
=100
µ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OL
=100
µ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OH
=-30
µ
A
I
OH
=-1.5mA
I
OH
=-3mA
民
9
2
-
-
-
-
-
-
0.8
2
4
典型值
500
130
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1090
255
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
-
-
-
单位
µ
s
µ
s
V
V
OL
推挽复位/
RESET
输出电压
V
OH
-40°C至+ 125°C
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
V
-40°C至+ 125°C
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
输出漏电流
I
泄漏
-40 ° C至+ 125°C ，仅供EM6352Y （漏极开路）
-
-
0.5
注1 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
V
DD
分= 0.9V的高电平有效版本（ EM6352Z ） 。
注2 ：
RESET （复位）
开。
µ
A
时序波形
V
DD
V
TH
t
SEN
OVERDRIVE
V
HYS
0.8V
t
逻辑"1"
RESET
逻辑"0"
t
逻辑"1"
t
POR
t
P
RESET
RESET
逻辑"0"
t
注5 ：
t
SEN
=最大瞬态持续时间。请参考图见下页。
注6 ：
高速模式= V
TH-
-V
DD
。请参考图见下页。
版权
©
2006年， EM微电子，马林SA
03/06 - rev.I
4
www.emmicroelectronic.com
EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
