EM6353
电气特性
参数
复位超时周期
传播延迟时间
V
DD
to
RESET
（ RESET ）延迟
漏极开路复位输出
电压
（续）
除非另有规定： V
DD
= 0.8V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （注1 ） 。
符号
t
POR
t
P
条件
V
DD
从0V到V
TH （典型值）
+15%
（注2和4）。牛逼
A
= +25°C
EM6353B
EM6353A
民
155
19.4
2
-
-
-
-
-
-
0.8
2
4
-
典型值
200
25
130
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
224
28
255
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.35
-
-
-
0.5
单位
ms
V
DD
从V下降
TH （典型值）
+ 0.2V至V
TH （典型值）
-0.2V
（注2 ） 。牛逼
A
= +25°C
V
DD
>1V
I
OL
=100
µ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OL
=100
µ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OH
=-30
µ
A
I
OH
=-1.5mA
I
OH
=-3mA
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
µ
s
V
OL
V
V
OL
推挽复位/
RESET
输出电压
V
OH
输出漏电流
I
泄漏
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
只为EM6353_Y （漏极开路）
µ
A
注1 ：
注2 ：
注4 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
V
DD
分= 0.9V的高电平有效版本（ EM6353_Z ） 。
RESET
（ RESET ）开放。
标准版EM6353B （T
POR
= 200毫秒） ，可在任何时候。 EM6353A （T
POR
= 25毫秒），可通过掩膜选项，并在
最小起订量。请联系EM销售。
时序波形
t
SEN
V
DD
V
TH
OVERDRIVE
V
HYS
0.8V
t
逻辑"1"
RESET
逻辑"0"
t
逻辑"1"
t
POR
t
P
RESET
RESET
逻辑"0"
t
注6 ：
t
SEN
=最大瞬态持续时间。请参考图见下页。
注7 ：
高速模式= V
TH-
-V
DD
。请参考图见下页。
版权
©
2006年， EM微电子，马林SA
03/06 - rev.K
5
www.emmicroelectronic.com
EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
