EM6617
11. EEPROM （ 64
×
8位）
EEPROM的寻址是间接使用6比特（ 64个地址）中所定义
RegEEPAdr
和
RegEEPCntl
寄存器。 EEPROM中包括2页32x8bit每次，地址
EEPAdr [4 ：0]的
。该页在所选
RegEEPCntl
寄存器位
EEPage
。这样用户就可以解决的EEPROM ，因为这将是64x8位中的一个块。
任何访问EEPROM分为两个阶段进行。 1
st
，需要定义的地址位置。 2
nd
，需要
启动所需的操作，读取或写入。请参考下面的例子..
如何读取EEPROM中的数据：
：写EEPROM地址（低4位）
RegEEPAddr
注册。
1
st
研究所。
nd
2研究所。
：写高地址位，页面，选择读操作
RegEEPCntl 。
(
EEPAdr[4]
,
EEPage
,
EEPRdWr
=0)
rd
： NOP指令的情况下128kHz的操作（金属选项设置） 。
3研究所。
th
4 INST 。
：在EEPROM中读取数据低
RegEEPDataL
注册。
th
5研究所。
：在EEPROM中读取数据高
RegEEPDataH
注册。
最后两个指令可以以相反的顺序被执行。
如何写在EEPROM中的数据：
1
st
研究所。
：写EEPROM地址（低4位）
RegEEPAdr
注册。
nd
2研究所。
：在写入EEPROM中数据低
RegEEPDataL
注册。
rd
在3个研究所：写入EEPROM数据高
RegEEPDataH
注册。
4
th
研究所。
：写高地址位，页面，选择写操作
RegEEPCntl
.
(
EEPAdr[4]
,
EEPage
,
EEPRdWr
=1)
th
5 .
:
IRQEEP
在写操作结束时被产生。
三个第一指令可以以任何顺序被执行。
写作
RegEEPCntl
根据该位寄存器自动启动EEPROM的读出或写入操作
EEPRdWr
.
图27.读时序32kHz的操作
CPU相
SYS 。时钟
EE阅读
EE稳定的数据
1 2 3 4 1 2 3 4
马克斯。 20
µs
EEPROM的访问时间是最大。 20μS ：数据是
可在
RegEEPDataL
和
RegEEPDataH
在指令下读寄存器
在32kHz的系统时钟获得的读信号
1.5系统时钟宽。 CPU读取结束
第3阶段。
与128kHz的金属选项EERead信号
3.5系统时钟周期宽。使用此选项，
其实之前用户必须使用NOP指令
阅读RegEEPDataL ，H值。
EEPROM写操作的时间， 24ms （擦除后写入） 。标志
EEPBusy
in
RegEEPCntl
注册
直到写操作完成保持为高电平。一个中断请求
IRQEEP
在每个端部产生的
写操作。而
EEPBusy
是高一定不能在所有使用的EEPROM中。 EEPROM的中断请求
可屏蔽（默认值） （
MaskIRQEEP
位）。另请参阅中断处理部分13获取更多信息。
注：任何复位或休眠模式将立即取消EEPROM写操作。
要被存储在本次数据可能被破坏。
版权
©
2005年， EM微电子，马林SA
36
www.emmicroelectronic.com
EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
