EV1320QI
2A源出/吸入电流DDR内存
终端转换器
描述
该EV1320QI是DC到DC转换器特别
专为存储器终端应用。该
器件提供高效率，高达96 ％，而
提供类似的线性的溶液足迹
终端设备。
该EV1320QI是在一个3× 3× 0.55毫米
QFN 16引脚封装，只需要一个小
外部MLCC电容器数量。该装置是
设计直接从VDDQ电源来操作
轨。无需外部分压器或引用是必需的。该
EV1320QI提供了一个非常稳定的输出电压
（ VTT）跟踪VDDQ而下沉和采购
最多的连续输出电流2A 。最多4个
EV1320QI器件可以并联，以提供高达
8A电流。一个与输出放电ENABLE引脚
可用于S3 （挂起到内存）状态。
EV1320QI是专门设计来满足精确
电压，目前的快速瞬态要求，
未来的高性能， DDR2，DDR3 ，和低
电源JEDEC DDR4 VTT要求。先进
电路技术和高开关频率
提供高品质，结构紧凑，非隔离DC- DC
转换。
特点
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高效率，高达96％
40mm
2
总体解决方案尺寸
无需外部电感要求
符合JEDEC DDR2 / 3 / QDR和低功耗
4 DDR解决方案
使能引脚与输出放电到支持S3
（挂起到内存）模式
从VDDQ直接操作
VOUT （ VTT ）电压跟踪VDDQ / 2 ± 40mV以内
源和吸收高达2A的连续电流
平行四台设备为8A电流VTT
可编程软启动/软关机
成本效益的集成解决方案
热过载，过流，短路，
和欠压保护
符合RoHS ， MSL等级3 ， 260℃回流焊
应用
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VTT总线终端支持DDR2 ， DDR3 ，低
动力DDR4和QDR记忆
EF网络效率与输出电流
98
96
94
效率（％）
92
90
88
86
84
82
80
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1 1.2 1.4
输出电流（A ）
1.6
1.8
2
VTT = 0.9V
VTT = 0.75V
VTT = 0.6V
条件
AV
IN
= 3.0V
VDDQ = 2 * VTT
图1 。
简化应用电路
图2中。
最高效率的最小解决方案尺寸
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06831
2012年4月9日
启：
C
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