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EN29GL256H 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29GL256H
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内容描述: 256兆位( 32768K ×8位/ 16384K ×16位)快闪记忆体页模式闪存, CMOS 3.0伏只 [256 Megabit (32768K x 8-bit / 16384K x 16-bit) Flash Memory Page mode Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 57 页 / 1041 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29GL256H/L
TABLE 1. PIN DESCRIPTION
Pin Name
A23–A0
DQ0-DQ14
DQ15 / A-1
CE#
OE#
RESET#
RY/BY#
WE#
Vcc
Vss
V
IO
BYTE#
WP#/ACC
RFU
A23–A0
Data input/output.
DQ15 (data input/output, word mode),
A-1 (LSB address input, byte mode)
Chip Enable
Output Enable
Hardware Reset Pin
Ready/Busy Output
Write Enable
Supply Voltage (2.7-3.6V)
Ground
V I/O Input.
Byte/Word mode selection
Write Protect / Acceleration Pin
(WP# has an internal pull-up; when
unconnected, WP# is at V
IH
.)
Reserved for future use.
Not Connected to anything
A0 – A23
DQ0 – DQ15
(A-1)
FIGURE 3. LOGIC DIAGRAM
EN29GL256
Function
CE#
OE#
WE#
Reset#
WP#/ACC
Byte#
V
I O
RY/BY#
This Data Sheet may be revised by subsequent versions
or modifications due to changes in technical specifications.
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©2004 Eon Silicon Solution, Inc.,
www.eonssi.com
Rev. G, Issue Date: 2011/01/17