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    EN29LV400AB-70BCP 参数 Datasheet PDF下载

    EN29LV400AB-70BCP图片预览
    型号： EN29LV400AB-70BCP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8位/ 256K ×16位）闪存引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 41 页 / 378 K
    品牌： EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
     浏览型号EN29LV400AB-70BCP的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EN29LV400AB-70BCP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EN29LV400AB-70BCP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EN29LV400AB-70BCP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EN29LV400AB-70BCP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EN29LV400AB-70BCP的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EN29LV400AB-70BCP的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN29LV400AB-70BCP的Datasheet PDF文件第9页  
    EN29LV400A
    TABLE 2B. BOTTOM BOOT BLOCK SECTOR ARCHITECTURE
    ADDRESS RANGE
    Sector
    (X16)
    10
    9
    8
    7
    6
    5
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    8/4
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    16/8
    A17
    A16
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    A14
    A13
    A12
    (X8)
    70000h –7FFFFh
    60000h – 6FFFFh
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    This Data Sheet may be revised by subsequent versions
    or modifications due to changes in technical specifications.
    5
    ©2005 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
    Rev. A, Issue Date: 2005/01/07

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