EN25B05
说明
所有指令，地址和数据移入和移出器件，最显著位第一。串行
数据输入（ DI ）进行采样，在串行时钟（ CLK ）的片选信号（ CS ＃ ）被驱动后的第一个上升沿
低。然后，将1字节的指令代码必须被移位到该设备，最显著位第一，上
串行数据输入（DI），每个位被锁存串行时钟（CLK ）的上升沿。
该指令集被列于表4中的每个指令序列开始的一个字节的指令代码。
根据不同的指令，这随后可能是地址字节，或由数据字节，或由两者或
没有。片选（CS ＃ ）必须被驱动为高电平后的指令序列的最后一位被移位
英寸在读数据字节的情况下（READ ） ，读数据字节以更高的速度（ FAST_READ ） ，读
状态寄存器（ RDSR）或者从深度掉电释放，读取设备ID （ RDI ）指令，
移式指令序列之后是一个数据输出序列。片选信号（ CS ＃ ），可驱动高
后的数据输出序列中的任何位被移出。
在一个页面编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ） ，批量擦除（ BE ）的情况下，写状态寄存器（ WRSR ）
写使能（ WREN ） ，写禁止（ WRDI ）或深度掉电（ DP ）的指令，片选（ CS ＃ ）
必须驱动的高准确地在一个字节边界，否则该指令被拒绝，并且不被执行。
也就是说，片选（ CS ＃ ）必须驱动为高电平时，时钟脉冲的片选信号（CS ＃ ）后的数字
驱动为低电平是8的整数倍。
所有试图在写状态寄存器周期，项目周期或擦除访问的存储阵列
周期被忽略，内部写状态寄存器周期，项目周期或擦除周期继续
不受影响。
表4.指令集
指令名称
写使能
写禁止
阅读状态
注册
写状态
注册
读数据
快读
页编程
扇区擦除
批量擦除
深度掉电
释放由深
掉电，并且
读取设备ID
释放由深
掉电
制造商/
器件ID
阅读鉴定
1个字节
CODE
06h
04h
05h
01h
03h
0Bh
02h
D8h
C7h
B9h
(4)
DUMMY
DUMMY
DUMMY
(ID7-ID0)
(S7-S0)(1)
S7-S0
A23-A16
A23-A16
A23-A16
A23-A16
A15-A8
A15-A8
A15-A8
A15-A8
A7-A0
A7-A0
A7-A0
A7-A0
(D7-D0)
DUMMY
D7-D0
（下一字节）
(D7-D0)
（下一字节）
连续
（下一字节）
连续
连续
连续
(2)
2字节
BYTE 3
4个字节
BYTE 5
6字节
正字节
ABH
90h
9Fh
DUMMY
(M7-M0)
DUMMY
(ID15-ID8)
00h
(ID7-ID0)
(M7-M0)
(ID7-ID0)
(5)
注意事项：
1.数据的字节偏移与最高有效位。在括号中数据字节的字段“（）”表示数据被读取
在DO引脚的器件。
2.状态寄存器的内容将不断重复，直到CS ＃终止指令。
3.所有部门可能在行业内使用的任何地址。
4.设备ID将不断重复，直到CS ＃终止指令。
5.制造商ID和设备ID字节将不断重复，直到CS ＃终止指令。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
8
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2006年12月26日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
