EN25B10
读状态寄存器（ RDSR ） （ 05H ）
读状态寄存器（ RDSR ）指令允许状态寄存器进行读取。状态寄存器
可以在任何时候读取，即使在一个程序，擦除或写状态寄存器周期正在进行中。
当这些周期的一个过程中，建议检查写在制品（WIP ）位
之前发送一个新的指令给设备。另外，也可以连续地读出状态寄存器
如图7 。
表6.状态寄存器位的位置
是状态寄存器中的状态和控制位，如下所示：
BUSY位。
该位表明该内存是否忙于写状态寄存器，程序或
擦除周期。当设置为1时，这样的循环过程中，当复位为0没有这样的周期正在进行中。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。当
设置为1，内部写使能锁存器被置位，当设置为0时，内部写使能锁存器复位，
没有写状态寄存器，编程或擦除指令被接受。
BP2 ， BP1 ， BP0位。
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。他们定义的大小
面积为软件保护，以防止编程和擦除指令。这些位将被写入的
写状态寄存器（ WRSR ）指令。当一个或两个数据块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位的是
设置为1 ，则相应的存储器区域（如在表3中所定义的）对页编程变得保护（PP）的
和扇区擦除（ SE ）指令。块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位可写，只要
硬件保护模式没有被设置。批量擦除（ BE ）指令，当且仅当执行时，
这两个块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位为0 。
保留位。
状态寄存器位5和6是为将来使用而保留的。目前的设备将读取0
这些位的位置。建议测试状态寄存器的时候掩盖了保留位。
这样做将保证与未来器件的兼容性。
SRP位。
状态寄存器保护（ SRP ）位一起操作与写保护（ WP ＃ ）
信号。状态寄存器写保护（ SRP）位和写保护（ WP ＃ ）信号，使器件能够
把在硬件保护模式（当状态寄存器保护（ SRP）位被设置为1 ，并写
保护（WP ＃ ）被驱动为低电平） 。在这个模式下，状态寄存器的非易失性位（ SRP ，BP2 ，BP1
BP0 ）变为只读位和写状态寄存器（ WRSR ）指令不再接受
执行。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
10
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2006年12月26日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
