EN25B10
EN25B10
1兆位串行闪存与引导和参数部门
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏
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1 M位串行闪存
- 1 M位/ 128千字节/ 512页
- 每个可编程页的256字节
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高性能
- 75MHz的时钟速率
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低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
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灵活的部门架构：
- 两个4K字节，一个8字节， 1 16
字节， 3个32字节扇区
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软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
字节编程时间：为7μs典型
页编程时间： 1.5ms的典型
扇区擦除时间： 300〜 500ms的典型
芯片擦除时间：2秒典型
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最低100K耐力周期
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封装选项
- 8引脚SOP 150mil体宽
- 8接触VDFN
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商用和工业温度
范围
概述
该EN25B10是1M位（ 128K字节）串行闪存，具有先进的写保护
的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间，使用页面编程指令。
该EN25B10有七个行业，包括三个行业的32KB ， 16KB的一个扇区，一个扇区
8KB的和4KB的两个部门。本设备被设计为允许在一个时间或全是单扇区
芯片擦除操作。该EN25B10可以保护存储在任一小部门的引导代码
底部或顶部的启动配置。该器件可承受的最低的100K编程/擦除周期
对每一个扇区。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2006年12月26日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
