EN25B16
EN25B16
16兆位串行闪存与引导和参数部门
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏
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16 M位串行闪存
- 16 M位/ 2048 K-字节/ 8192页
- 每个可编程页的256字节
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高性能
- 100MHz的时钟速率
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低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
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灵活的部门架构：
- 两个4K字节，一个8字节，一个16字节， 1
32K字节，而31 64 KB的行业
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软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
字节编程时间：为7μs典型
页编程时间： 1.5ms的典型
扇区擦除时间： 300〜 800ms的典型
芯片擦除时间： 18秒典型
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最低100K耐力周期
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封装选项
- 8引脚SOP 200mil体宽
- 8接触VDFN
- 16引脚SOP 300MIL车身宽度
- 所有无铅封装符合RoHS标准
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商用和工业温度
范围
概述
该EN25B16是16M位（ 2048K字节）串行闪存，具有先进的写保护
的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间，使用页面编程指令。
该EN25B16有36部门，包括31部门为64KB ， 32KB的一个扇区，一个扇区
16KB的， 8KB的一个部门和4KB的两个部门。此装置被设计成允许任何单个扇区
在同一时间或整片擦除操作。该EN25B16可以保护存储在小部门的引导代码
无论是底部或顶部的启动配置。该器件可承受的最低的100K编程/擦除周期
对每一个扇区。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2006年12月22日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
