EN25B20
EN25B20
2兆位串行闪存与引导和参数部门
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏
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2 M位串行闪存
- 2 M比特/ 256千字节/ 1024页
- 每个可编程页的256字节
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高性能
- 75MHz的时钟速率
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低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
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灵活的部门架构：
- 两个4K字节，一个8字节，一个16字节， 1
32K字节，和3个64字节扇区
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软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
字节编程时间：为7μs典型
页编程时间： 1.5ms的典型
扇区擦除时间： 300〜 800ms的典型
芯片擦除时间：3秒典型
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最低100K耐力周期
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封装选项
8引脚SOP 150mil体宽
8接触VDFN
所有无铅封装符合RoHS标准
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商用和工业温度范围
概述
该EN25B20是2M位（ 256K字节）串行闪存，具有先进的写保护
的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间，使用页面编程指令。
该EN25B20有八个部门，包括三个行业的64KB ， 32KB的一个部门，一个部门
16KB ， 8KB的一个部门和4KB的两个部门。此装置被设计成允许或者单
部门在同一时间或整片擦除操作。该EN25B20可以保护存储在小的引导代码
行业类别或者底部或顶部的启动配置。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2006年12月26日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
