EN25B40
说明
所有指令，地址和数据移入和移出器件，最显著位第一。串行
数据输入（ DI ）进行采样，在串行时钟（ CLK ）的片选信号（ CS ＃ ）被驱动后的第一个上升沿
低。然后，将1字节的指令代码必须被移位到该设备，最显著位第一，上
串行数据输入（DI），每个位被锁存串行时钟（CLK ）的上升沿。
该指令集被列于表4中的每个指令序列开始的一个字节的指令代码。
根据不同的指令，这随后可能是地址字节，或由数据字节，或由两者或
没有。片选（CS ＃ ）必须被驱动为高电平后的指令序列的最后一位被移位
英寸在读数据字节的情况下（READ ） ，读数据字节以更高的速度（ FAST_READ ） ，读
状态寄存器（ RDSR）或者从深度掉电释放，读取设备ID （ RDI ）指令，
移式指令序列之后是一个数据输出序列。片选信号（ CS ＃ ），可驱动高
后的数据输出序列中的任何位被移出。
在一个页面编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ） ，批量擦除（ BE ）的情况下，写状态寄存器（ WRSR ）
写使能（ WREN ） ，写禁止（ WRDI ）或深度掉电（ DP ）的指令，片选（ CS ＃ ）
必须驱动的高准确地在一个字节边界，否则该指令被拒绝，并且不被执行。
也就是说，片选（ CS ＃ ）必须驱动为高电平时，时钟脉冲的片选信号（CS ＃ ）后的数字
驱动为低电平是8的整数倍。用于页编程，如果在任何时间输入的字节不是一个完整的
字节，什么都不会发生， WEL将不会被重置。
在页编程（PP） ，多字节指令的情况下，和从深度掉电释放
（ RES）的指定已被赋予字节的最小数，没有它，则该命令将
忽略不计。
在页编程的情况下，如果一个字节的命令后的数量小于4（至少为1数据
字节） ，它将被忽略了。在SE的情况下，准确的24位地址是必须的，任何减少或以上
使该命令被忽略。
所有试图在写状态寄存器周期，项目周期或擦除访问的存储阵列
周期被忽略，内部写状态寄存器周期，项目周期或擦除周期继续
不受影响。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
修订版E，发表日期： 2007年5月3日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
