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EN25B40-75GC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN25B40-75GC
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内容描述: 4兆位串行闪存与引导和参数部门 [4 Mbit Serial Flash Memory with Boot and Parameter Sectors]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 36 页 / 462 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN25B40
EN25B40
4兆位串行闪存与引导和参数部门
特点
单电源工作
- 全电压范围: 2.7-3.6伏
4 M位串行闪存
- 4 M位/ 512 K-字节/ 2048页
- 每个可编程页的256字节
高性能
- 75MHz的时钟速率
低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
灵活的部门架构:
- 两个4K字节,一个8字节,一个16字节, 1
32K字节,七64 KB的行业
软件和硬件写保护:
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP #引脚
-
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间:为7μs典型
页编程时间: 1.5ms的典型
扇区擦除时间: 300〜 800ms的典型
芯片擦除时间: 5秒典型
最低100K耐力周期
封装选项
- 8引脚SOP 150mil体宽
- 8引脚SOP 200mil体宽
- 8接触VDFN
- 8引脚PDIP
- 所有无铅封装符合RoHS标准
商用和工业温度
范围
概述
该EN25B40是4M位( 512K字节)串行闪存,具有先进的写保护
的机制,通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间,使用页面编程指令。
该EN25B40有12部门,包括七个行业为64KB , 32KB的一个部门,一个部门
16KB , 8KB的一个部门和4KB的两个部门。此装置被设计成允许在任一单个扇区
时间或整片擦除操作。该EN25B40可以保护存储在任一小部门的引导代码
底部或顶部的启动配置。该器件可承受的最低的100K编程/擦除周期上
每一个扇区。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
修订版E,发表日期: 2007年5月3日