EN25B40
状态Register.The
状态寄存器包含一个数状态和控制位的，可以读取或设置
（如适用）通过具体的指示。
BUSY位。
该位表明该内存是否忙于写状态寄存器，程序或
擦除周期。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。
BP2 ， BP1 ， BP0位。
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。他们定义的大小
面积为软件保护，以防止编程和擦除指令。
SRP位。
状态寄存器保护（ SRP ）位一起操作与写保护（ WP ＃ ）
信号。状态寄存器保护（ SRP）位和写保护（ WP ＃ ）信号，允许设备放在
硬件保护模式。在这个模式下，状态寄存器的非易失性位（ SRP ，BP2 ，BP1
BP0 ）变为只读位。
写保护
使用非易失性存储器中的应用程序必须考虑噪声和其它的可能性
不利的系统条件可能会影响数据的完整性。为了解决这一问题的EN25B40
提供了以下的数据保护机制：
上电复位和一个内部定时器（T
PUW
）可以提供保护，防止意外更改
而在电源运行规范之外。
程序，擦除和写入状态寄存器指令被选中，它们由许多的
时钟脉冲是8的倍数时，它们被接受执行之前。
修改数据的所有指令之前必须有一个写使能（ WREN ）指令集
写使能锁存器（ WEL ）位。该位是由下列事件返回到它的复位状态：
•电
- 写禁止（ WRDI ）指令完成或写状态寄存器（ WRSR ）指令
完成或页面编程（ PP ）指令完成或扇区擦除指令（SE）
完成或批量擦除（ BE ）指令完成或
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位可以让内存的一部分配置为只读。这
为保护模式（ SPM ）软件。
写保护（ WP ＃ ）信号，使数据块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位和状态寄存器
保护（ SRP）位进行保护。这是硬件保护模式（ HPM ） 。
除了低功耗的特征，深度掉电模式提供额外的软件
防止意外写操作，编程和擦除指令，所有指令都将被忽略
除了一个特定的指令（从深度掉电指令的发布） 。
表3a 。保护区尺寸 - 底部引导扇区组织
状态寄存器
内容
BP2
BP1
BP0
位
位
位
1
1
1
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
内存内容
保护部门
所有
行业0-7
行业0-4
行业0-3
行业0-2
扇区0到1
扇区0
无
地址
000000h-07FFFFh
000000h-03FFFFh
000000h-00FFFFh
000000h-007FFFh
000000h-003FFFh
000000h-001FFFh
000000h-000FFFh
无
密度（ KB）
512KB
256KB
64KB
32KB
16KB
8KB
4KB
无
一部分
所有
低1/2
低1/8
较低的1/16
较低的1/32
较低的1/64
较低的1/128
无
表3b 。保护区尺寸 - 热门引导扇区组织
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
7
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
修订版E，发表日期： 2007年5月3日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
