EN25B64
EN25B64
64兆位串行闪存与引导和参数部门
特点
•
单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏
•
64 M位串行闪存
- 64 M位/ 8192 K-字节/ 32768页
- 每个可编程页的256字节
•
高性能
- 100MHz的时钟速率
•
低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
•
灵活的部门架构：
- 两个4K字节，一个8字节，一个16字节， 1
32K字节，而127 64
KB的行业
•
软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
•
-
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间：为7μs典型
页编程时间： 1.5ms的典型
扇区擦除时间： 300〜 800ms的典型
芯片擦除时间： 50秒典型
•
可锁定512字节的OTP安全部门
•
最低100K耐力周期
•
封装选项
- 16引脚SOP 300MIL车身宽度
- 所有无铅封装符合RoHS标准
•
工业温度范围
概述
该EN25B64是64M位（ 8192K字节）串行闪存，具有先进的写保护
的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间，使用页面编程指令。
该EN25B64有
百二十
八大行业包括
127
各部门
64KB ，一个扇区为32KB ， 16KB的一个部门， 8KB的一个部门和4KB的两个部门。该装置是
设计为允许在同一时间可以是单扇区或整片擦除操作。该EN25B64可以保护
启动代码存储在任何顶部或底部启动配置中的小部门。该装置可承受
至少100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2008年6月23日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
