EN25F40
EN25F40
4兆位串行闪存与4KB的扇区制服
特点
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单电源工作
- 全电压范围: 2.7-3.6伏
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4兆位串行闪存
- 4 M位/ 512 K-字节/ 2048页
- 每个可编程页的256字节
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高性能
- 100MHz的时钟速率
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低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
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统一的部门架构:
4 KB的128个扇区
64字节的8块
任何部门或块可以
独立擦除
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP #引脚
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高性能的编程/擦除速度
页编程时间: 1.5ms的典型
扇区擦除时间: 150ms的典型
块擦除时间800毫秒典型
芯片擦除时间: 5秒典型
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可锁定256字节的OTP安全部门
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最低100K耐力周期
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封装选项
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8引脚SOP 150mil体宽
8引脚SOP 200mil体宽
8接触VDFN
8引脚PDIP
所有无铅封装符合RoHS标准
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软件和硬件写保护:
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商用和工业温度
范围
概述
该EN25F40是4M位( 512K字节)串行闪存,具有先进的写保护
的机制,通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间,使用页面编程指令。
该EN25F40被设计为允许在同一时间可以是单扇区或整片擦除操作。该
EN25F40可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该装置
能维持最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2007/05/09