EN25F40
状态寄存器。
状态寄存器包含一些状态和控制位的，可以读取或设置
（如适用）通过具体的指示。
WIP位。
写在制品（WIP ）位表明内存是否忙于写状态
注册，编程或擦除周期。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。
BP2 ， BP1 ， BP0位。
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。他们定义的大小
面积为软件保护，以防止编程和擦除指令。
SRP位/
OTP_LOCK
位
状态寄存器保护（ SRP ）位一起操作与写
保护（WP ＃ ）信号。状态寄存器保护（ SRP）位和写保护（ WP ＃ ）信号，使
设备被放置在硬件保护模式。在这种模式下，状态寄存器的非易失位
（ SRP ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）变为只读位。
在OTP模式，该位曾担任OTP_LOCK位，用户可以读取/编程/擦除OTP部门正常
部门同时OTP_LOCK值等于0 ，后OTP_LOCK由WRSR指令编程1 ，
对OTP扇区保护程序和擦除操作。该OTP_LOCK位只能是
编程一次。
注意：
在OTP模式下， WRSR命令将忽略任何输入数据和程序OTP_LOCK位为1 ，用户
必须清除保护位前进入OTP模式和编程OTP代码，然后执行WRSR命令
临行前OTP模式锁定OTP部门。
写保护
使用非易失性存储器中的应用程序必须考虑噪声和其它的可能性
不利的系统条件可能会影响数据的完整性。为了解决这一问题的EN25F40
提供了以下的数据保护机制：
上电复位和一个内部定时器（T
PUW
）可以提供保护，防止意外更改
而在电源运行规范之外。
程序，擦除和写入状态寄存器指令被选中，它们由许多的
时钟脉冲是8的倍数时，它们被接受执行之前。
修改数据的所有指令之前必须有一个写使能（ WREN ）指令集
写使能锁存器（ WEL ）位。该位是由下列事件返回到它的复位状态：
•电
- 写禁止（ WRDI ）指令完成或写状态寄存器（ WRSR ）指令
完成或页面编程（ PP ）指令完成或扇区擦除指令（SE）
完成或块擦除（ BE ）指令完成或芯片擦除（ CE ）指令完成
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位可以让内存的一部分配置为只读。这
为保护模式（ SPM ）软件。
写保护（ WP ＃ ）信号，使数据块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位和状态寄存器
保护（ SRP）位进行保护。这是硬件保护模式（ HPM ） 。
除了低功耗的特征，深度掉电模式提供额外的软件
防止意外写操作，编程和擦除指令，所有指令都将被忽略
除了一个特定的指令（从深度掉电指令的发布） 。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2007/05/09
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
