EN25F80
EN25F80
8兆位串行闪存与4KB的扇区制服
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏
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串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
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8兆位串行闪存
- 8 M位/ 1024 K-字节/ 4096页
- 每个可编程页的256字节
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高性能
- 100MHz的时钟速率
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低功耗
- 19 mA典型工作电流
- 1
µA
典型的掉电电流
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统一的部门架构：
256扇区4K字节
64字节的16块
任何部门或块可以
独立擦除
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软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
页编程时间： 1.3ms典型
扇区擦除时间： 90ms的典型
块擦除时间为500ms典型
芯片擦除时间： 8秒典型
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可锁定256字节的OTP安全部门
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最低100K耐力周期
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封装选项
8引脚SOP 150mil体宽
8引脚SOP 200mil体宽
8接触VDFN
8引脚PDIP
所有无铅封装符合RoHS标准
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商用和工业温度
范围
概述
该EN25F80是8M位（ 1024K字节）串行闪存，具有先进的写保护
的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜 256
字节的时间，使用页面编程指令。
该EN25F80被设计为允许是单扇区/块一次或整片擦除操作。该
EN25F80可经配置以保护所述存储器作为软件保护模式的一部分。该设备可以
维持最低的每一个扇区或块100K编程/擦除周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
启K，发行日期： 2010/05/31
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
