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EN25F20 参数 Datasheet PDF下载

EN25F20图片预览
型号: EN25F20
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内容描述: 2兆位串行闪存与4KB的扇区制服 [2 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 33 页 / 1277 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN25F20
写状态寄存器( WRSR )指令不被执行,一旦硬件保护模式
( HPM )输入。
注:在OTP模式, WRSR命令将输入的数据和程序OTP_LOCK位忽略1 。
图8.写状态寄存器指令序列图
读数据字节( READ ) ( 03H )
该设备通过驱动芯片选择( CS # )低第一选择。对读数据的指令代码
字节(读)指令之后是3字节地址( A23- A0) ,每个比特被在锁存于
串行时钟( CLK )上升沿。那么内存的内容,在该地址,被移出串行
数据输出( DO ),每个位被移出,以最大频率f ,的下降沿期间
串行时钟(CLK ) 。
该指令序列示于图9中的第一个字节寻址可以在任何位置。该
地址自动递增到下一个更高的地址数据的每一个字节之后被移出。
整个内存可以,因此,要读一个单一的读数据字节( READ )指令。当
达到最高地址时,地址计数器翻转到000000 ,允许读序列
继续不知疲倦网络奈特雷。
读数据字节( READ )指令是由驱动芯片选择( CS # )高终止。片选
( CS # ) ,可驱动高的数据输出期间的任何时间。任何读取数据字节( READ)的指令,而
擦除,编程或写周期正在进行中,而不必在周期中的任何影响拒绝了
正在进行中。
图9.读取数据指令序列图
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司,
www.eonssi.com
修订版E,发行日期: 2008/12/15