EN25LF10
电源在此模式下，直到另一个特定的指令（发布从深度掉电模式和
读取设备ID （ RDI ）的指令）执行。
所有其它指令被忽略，而该设备在深度掉电模式。这可以是
作为一个额外的软件的保护机构，当该装置处于非活动状态的使用，以保护
设备防止意外写，编程或擦除指令。
状态寄存器。
状态寄存器包含一个数状态和控制位的，可以读
或者设置（如适用）通过具体的指示。
WIP位。
写在制品（WIP ）位表明内存是否忙于写状态
注册，编程或擦除周期。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。
BP2 ， BP1 ， BP0位。
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。他们定义的大小
面积要软件免受编程和擦除指令。
SRP位/ OTP_LOCK位
状态寄存器保护（ SRP ）位与操作相结合
写保护（ WP ＃ ）信号。状态寄存器的保护（ SRP）位和写保护（ WP ＃ ）信号
允许该设备被放置在硬件保护模式。在这种模式中，非挥发性的位
状态寄存器（ SRP ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）变为只读位。
在OTP模式，该位曾担任OTP_LOCK位，用户可以读取/编程/擦除OTP部门
正常扇区而OTP_LOCK值等于0时，之后OTP_LOCK由WRSR编程1
命令，对OTP扇区被保护程序和擦除操作。该OTP_LOCK位可
仅一次被编程。
注意：
在OTP模式下， WRSR命令将忽略任何输入数据和程序OTP_LOCK位
1 ，用户必须清除保护位前进入OTP模式和编程OTP代码，然后执行
WRSR命令，临行前OTP模式锁定OTP部门。
写保护
使用非易失性存储器中，必须考虑噪声的可能性，应用程序和
其他不利条件下系统可能会危及数据完整性。为了解决这个问题了
EN25LF10提供了以下的数据保护机制：
上电复位和一个内部定时器（ tPUW ）可以提供保护，防止意外
变化，同时在电源运行规范之外。
编程，擦除和写入状态寄存器指令进行检查，他们组成的
时钟脉冲是八的倍数，它们被接受执行前数。
修改数据的所有指令之前必须有一个写使能（ WREN）指令集
写使能锁存器（ WEL ）位。该位是由下列事件返回到它的复位状态：
•电
- 写禁止（ WRDI ）指令完成或写状态寄存器（ WRSR ）指令
完成或页面编程（ PP ）指令完成或扇区擦除指令（SE）
完成或块擦除（ BE ）指令完成或芯片擦除（ CE ）指令
竣工
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位可以让内存的一部分配置为只读。
这是保护模式（ SPM ）软件。
写保护（ WP ＃ ）信号，使数据块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位和状态
寄存器保护（ SRP）位进行保护。这是硬件保护模式（ HPM ） 。
除了低功耗的特征，深度掉电模式提供额外的
防止意外写，编程和擦除指令的软件保护，因为所有的指令
被忽略，除了一个特定的指令（从深度掉电instructio发布
n).
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2008年6月23日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
