EN25LF40
说明
所有指令，地址和数据移入和移出器件，最显著位第一。
串行数据输入（ DI ）进行采样，在串行时钟（ CLK ）的片选信号（ CS ＃ ）之后的第一个上升沿
被拉低。然后，将1字节的指令代码必须被移位到该设备，最显著
首先一点，在串行数据输入（ DI ） ，每一位被锁定在串行时钟（ CLK ）的上升沿。
该指令集被列于表4中的每个指令序列开始的一个字节的指令
代码。根据不同的指令，这随后可能是地址字节，或由数据字节，或由
两个或无。片选信号（ CS ＃ ）的指令序列的最后一位后，必须驱动为高电平
已移入。在读取数据字节（READ ） ，读数据字节的情况下，以更快的速度
（ FAST_READ ） ，读状态寄存器（ RDSR）或者从深度掉电释放，读取设备
的ID（ RDI）指令时，移动式指令序列，之后是数据输出序列。芯片
选（CS ＃ ），可驱动高后的数据输出序列中的任何位被移出。
在一个页面编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ）的情况下，块擦除（ BE ） ，芯片擦除（ CE ） ，写
状态寄存器（ WRSR ） ，写使能（ WREN ） ，写禁止（ WRDI ）或深度掉电（ DP ）
指令，片选（ CS ＃ ）必须驱动为高电平正好在字节边界，否则，
指令被拒绝，并且不被执行。也就是说，片选（ CS ＃ ）必须驱动为高电平时，
驱动芯片选择（ CS ＃ ）后的时钟脉冲数低是8的整数倍。为
网页程序，如果在任何时候输入字节是不是一个完整的字节，什么都不会发生， WEL不会
复位。
在页编程（PP） ，多字节指令的情况下，和从深度功率释放
指定的字节向下（ RES）的最小数必须被给定，没有它，则
命令将被忽略。
在页编程的情况下，如果一个字节的命令后的数量小于4 （至少
1个数据字节） ，它将被忽略了。在SE的情况和BE ，准确的24位地址是必须的，
任何更少或更多的将导致命令被忽略。
所有试图在写状态寄存器周期，程序循环以存取存储器阵列或
擦除周期被忽略，内部写状态寄存器周期，项目周期或擦除周期
继续不受影响。
表4.指令集
指令名称
写使能
写禁止/退出
OTP模式
阅读状态
注册
写状态
注册
读数据
快读
页编程
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
深度掉电
释放由深
掉电，并且
读取设备ID
1个字节
CODE
06h
04h
05h
01h
03h
0Bh
02h
20h
D8H / 52H
C7H / 60H
B9h
(4)
(S7-S0)(1)
S7-S0
A23-A16
A23-A16
A23-A16
A23-A16
A23-A16
A15-A8
A15-A8
A15-A8
A15-A8
A15-A8
A7-A0
A7-A0
A7-A0
A7-A0
A7-A0
(D7-D0)
DUMMY
D7-D0
（下一字节）
(D7-D0)
下一个字节
连续
（下一字节）
连续
连续
连续
(2)
2字节
BYTE 3
4个字节
BYTE 5
6字节
正字节
ABH
DUMMY
DUMMY
DUMMY
(ID7-ID0)
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2008年6月23日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
