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EN25P05-100GCP 参数 Datasheet PDF下载

EN25P05-100GCP图片预览

型号：	EN25P05-100GCP
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	512 Kbit的统一部门，串行闪存 [512 Kbit Uniform Sector, Serial Flash Memory]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	30 页 / 377 K
品牌：	EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]

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EN25P05

EN25P05

512 Kbit的统一部门，串行闪存

特点

•

单电源工作

- 全电压范围： 2.7-3.6伏

•

512 Kbit的串行闪存

- 512 K比特/ 64千字节/ 256页

- 每个可编程页的256字节

•

高性能

- 75MHz的时钟速率

•

低功耗

- 5毫安典型工作电流

- 1

μA

典型的掉电电流

•

统一的部门架构：

- 两个32字节扇区

•

软件和硬件写保护：

- 通过写保护全部或部分内存

软件

- 启用/禁用保护与WP ＃引脚

•

-

-

-

-

高性能的编程/擦除速度

字节编程时间： 8μs典型

页编程时间： 1.5ms的典型

扇区擦除时间： 500ms的典型

芯片擦除时间： 1秒典型

•

最低100K耐力周期

•

-

-

-

封装选项

8引脚SOP 150mil体宽

8接触VDFN

所有无铅封装符合RoHS标准

•

商用和工业温度

范围

概述

该EN25P05是512 K位（ 64K字节）串行闪存，具有先进的写保护

的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜

256个字节的时间，使用页面编程指令。

该EN25P05被设计为允许在同一时间可以是单扇区或整片擦除操作。该

EN25P05可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该

装置能承受的100K计划最低/擦除周期的每一个扇区。

该数据表可以通过后续的版本中修改

1

或修改，由于改变的技术规格。

©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本B ，发行日期： 2006/12/27

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