EN25P05
EN25P05
512 Kbit的统一部门,串行闪存
特点
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单电源工作
- 全电压范围: 2.7-3.6伏
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512 Kbit的串行闪存
- 512 K比特/ 64千字节/ 256页
- 每个可编程页的256字节
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高性能
- 75MHz的时钟速率
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低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
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统一的部门架构:
- 两个32字节扇区
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软件和硬件写保护:
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP #引脚
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高性能的编程/擦除速度
字节编程时间: 8μs典型
页编程时间: 1.5ms的典型
扇区擦除时间: 500ms的典型
芯片擦除时间: 1秒典型
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最低100K耐力周期
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封装选项
8引脚SOP 150mil体宽
8接触VDFN
所有无铅封装符合RoHS标准
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商用和工业温度
范围
概述
该EN25P05是512 K位( 64K字节)串行闪存,具有先进的写保护
的机制,通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间,使用页面编程指令。
该EN25P05被设计为允许在同一时间可以是单扇区或整片擦除操作。该
EN25P05可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该
装置能承受的100K计划最低/擦除周期的每一个扇区。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2006/12/27