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EN25P05-100VI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN25P05-100VI
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内容描述: 512 Kbit的统一部门,串行闪存 [512 Kbit Uniform Sector, Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 30 页 / 377 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN25P05
写状态寄存器( WRSR ) ( 01H )
写状态寄存器( WRSR )指令允许新的值写入到状态寄存器。
才可以被接受,一个写使能( WREN)指令必须先前已被执行死刑。后
写使能( WREN)指令被译码和执行,该设备设置写使能
锁存器( WEL ) 。
写状态寄存器( WRSR )指令是由驱动芯片选择( CS # )低输入,其次是
指令代码和串行数据输入( DI )的数据字节。
该指令序列示于图8中。该写状态寄存器(WRSR )指令没有
在S6 , S5 , S1和状态寄存器S0影响。 S6和S5总是读出0片选( CS # )
的数据字节已被锁定在第八位后必须驱动高。如果不是,则写状态
不执行寄存器( WRSR )指令。当片选( CS # )驱动为高电平,则自定时
写状态寄存器周期(其持续时间TW)启动。虽然写状态寄存器周期中
进度,状态寄存器仍可以读出检查写在制品(WIP )位的值。该
写在制品(WIP )位为1时的自定时写状态寄存器周期,为0时,它是
完成。当循环结束时,写使能锁存器( WEL)被复位。
写状态寄存器( WRSR )指令允许用户更改块的值保护
( BP1,BP0)位,以确定要被处理为只读,如表3所限定的区域的大小..
写状态寄存器( WRSR )指令还允许用户设置或重置状态寄存器
按照写保护( WP # )信号保护( SRP )位。状态寄存器保护( SRP )
位和写保护( WP # )信号,允许设备放在保护模式( HPM)的硬件。该
写状态寄存器( WRSR )指令不被执行,一旦保护模式( HPM )的硬件
输入。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2006/12/27