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    EN25P10-100VC 参数 Datasheet PDF下载

    EN25P10-100VC图片预览
    型号： EN25P10-100VC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1 Mbit的统一部门，串行闪存 [1 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 31 页 / 386 K
    品牌： EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
     浏览型号EN25P10-100VC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EN25P10-100VC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EN25P10-100VC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EN25P10-100VC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN25P10-100VC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EN25P10-100VC的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EN25P10-100VC的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EN25P10-100VC的Datasheet PDF文件第13页  
    EN25P10
    写使能（ WREN ） （ 06H ）
    写使能（ WREN）指令（图5 ）设置写使能锁存器（ WEL ）位。写使能
    锁存器（ WEL）位之前，必须设置为每一页计划（ PP ） ，扇区擦除（ SE ） ，批量擦除（ BE ）和
    写状态寄存器（ WRSR ）指令。
    写使能（ WREN）指令，通过驱动芯片选择（ CS ＃ ）低，在发送指令进入
    代码，然后驱动芯片选择（ CS ＃ ）高。
    写禁止（ WRDI ） （ 04H ）
    写禁止指令（图6）复位写使能状态锁存（ WEL）位注册
    一0。写禁止指令通过驱动芯片选择（ CS ＃ ）低，转移指令代码进入
    “ 04H ”到DI引脚，然后驱动芯片选择（ CS ＃ ）高。请注意， WEL位自动复位
    在掉电后和写状态寄存器，页编程，扇区擦除，和批量完成后
    擦除指令。
    该数据表可以通过后续的版本中修改
    或修改，由于改变的技术规格。
    9
    ©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
    版本C ，发行日期： 2007年5月4日

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