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EN25P10-50GIP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN25P10-50GIP
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内容描述: 1 Mbit的统一部门,串行闪存 [1 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 31 页 / 386 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN25P10
EN25P10
1 Mbit的统一部门,串行闪存
特点
单电源工作
- 全电压范围: 2.7-3.6伏
1 M位串行闪存
- 1 M位/ 128千字节/ 512页
- 每个可编程页的256字节
高性能
- 100MHz的时钟速率
低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
统一的部门架构:
- 四个32 -K字节扇区
软件和硬件写保护:
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP #引脚
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高性能的编程/擦除速度
字节编程时间:为7μs典型
页编程时间: 1.5ms的典型
扇区擦除时间: 500毫秒典型
芯片擦除时间:2秒典型
最低100K耐力周期
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封装选项
8引脚SOP 150mil体宽
8接触VDFN
所有无铅封装符合RoHS标准
商用和工业温度
范围
概述
该EN25P10是1M位( 128K字节)串行闪存,具有先进的写保护
的机制,通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间,使用页面编程指令。
该EN25P10被设计为允许在同一时间可以是单扇区或整片擦除操作。该
EN25P10可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该
装置能承受的100K计划最低/擦除周期的每一个扇区。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本C ,发行日期: 2007年5月4日