EN25P16
EN25P16
16 Mbit的统一部门，串行闪存
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏
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16兆位串行闪存
- 16 M位/ 2048 K-字节/ 8192页
- 每个可编程页的256字节
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高性能
- 75MHz的时钟速率
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低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
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统一的部门架构：
- 32个64 KB的行业
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软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
字节编程时间：为7μs典型
页编程时间： 1.5ms的典型
扇区擦除时间： 800ms的典型
芯片擦除时间： 18秒典型
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最低100K耐力周期
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封装选项
8引脚SOP 200mil体宽
8接触VDFN
16引脚SOP 300MIL车身宽度
所有无铅封装符合RoHS标准
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商用和工业温度范围
概述
该EN25P16是16M位（ 2048K字节）串行闪存，具有先进的写保护
的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1〜
256个字节的时间，使用页面编程指令。
该EN25P16被设计为允许在同一时间可以是单扇区或整片擦除操作。该
EN25P16可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该装置
能维持最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2006年12月25日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
