EN25Q128
EN25Q128
128兆位串行闪存与4K字节扇区制服
特点
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单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏
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串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
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128 M位串行闪存
- 128 M位/ 16,384 K-字节/ 65,536页
- 每个可编程页的256字节
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标准，双核或四SPI
标准的SPI接口： CLK ， CS ＃ ， DI ， DO ， WP ＃
双SPI ： CLK ， CS ＃ ， DQ
0
， DQ
1
， WP ＃
四路SPI ： CLK ， CS ＃ ， DQ
0
， DQ
1
， DQ
2
， DQ
3
高性能
104MHz的时钟频率为标准的SPI
80MHz的时钟速率为2个数据位
50MHz的时钟速率为4个数据位
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软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
页编程时间：一般为0.8ms
扇区擦除时间： 50ms的典型
块擦除时间为200ms典型
芯片擦除时间： 45秒典型
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可锁定512字节的OTP安全部门
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最低100K耐力周期
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封装选项
8接触VDFN （ 5x6mm ）
8接触VDFN （ 6x8mm ）
16引脚SOP 300MIL车身宽度
24球TFBGA封装（ 6x8mm ）
所有无铅封装符合RoHS标准
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低功耗
- 19 mA典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
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统一的部门架构：
4 KB的4096行业
64字节的256块
任何扇区或块可以单独被删除
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工业和汽车温度范围
概述
该EN25Q128是128兆位（ 16,384K字节）串行闪存，具有先进的写保护
机制。该EN25Q128支持标准的串行外设接口（SPI） ，和一个高
高性能双输出和双/四通道I / O使用SPI接口：串行时钟，片选，串行
DQ
0
（DI）， DQ
1
（ DO ） ， DQ
2
（ WP ＃ ）和DQ
3
（ NC ） 。支持高达80MHz的SPI时钟频率
允许使用双输出时， 160MHz的（为80MHz ×2）的双输出相当于时钟速率
高达50MHz的支持，允许相当于快速读取指令， SPI时钟频率
200MHz的时钟速率使用四路输出时（ 50MHz的×4）的四路输出快速阅读
指令。该存储器可以被编程为1〜 256个字节的时间，使用页面编程
指令。
该EN25Q128被设计成允许或者单
扇区/块
在同一时间或整片擦除操作。该
EN25Q128可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该
设备可以维持最低的100K编程/擦除周期的每一个扇区
或阻止
.
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
1
©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
牧师Ĵ ，发表日期： 2011年9月19日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
