EN25Q80A
状态寄存器。
状态寄存器包含一个数状态和控制位的，可以读出或
设置（如适用）通过具体的指示。
WIP位。
写在制品（WIP ）位表明内存是否忙于写状态
注册，编程或擦除周期。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。
BP2 ， BP1 ， BP0位。
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。它们定义的大小
该地区是软件的保护，以防止编程和擦除指令。
WPDIS位。
写保护关闭（ WPDIS ）位，非易失位，当它被重置为“ 0 ”（出厂
默认情况下） ，使WP ＃功能或设置为“ 1 ”禁用WP ＃功能（ SPI可以在浮动
模式）。
SRP位/ OTP_LOCK位
状态寄存器保护（ SRP ）位操作与写相结合
保护（WP ＃ ）信号。状态寄存器保护（ SRP）位和写保护（ WP ＃ ）信号，使
设备被放置在硬件保护模式。在这种模式中，非挥发性的状态的位
注册（ SRP ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）变为只读位。
在OTP模式，该位作为OTP_LOCK位，用户可以读取/编程/擦除OTP部门正常
扇区，而OTP_LOCK比特值等于0时，之后OTP_LOCK位由WRSR编程1
命令，对OTP扇区被保护程序和擦除操作。该OTP_LOCK位只能
一次编程。
注意：
在OTP模式下， WRSR命令将忽略任何输入数据和程序OTP_LOCK位为1 ，
用户必须清除保护位进入OTP模式之前并编程OTP代码，然后执行
WRSR命令，临行前OTP模式锁定OTP部门。
写保护
使用非易失性存储器中的应用程序必须考虑噪声和其它的可能性
不利的系统条件可能会影响数据的完整性。为了解决这个问题了
EN25Q80A提供了以下的数据保护机制：
上电复位和一个内部定时器（ tPUW ）可以提供保护，防止意外更改
而在电源运行规范之外。
程序，擦除和写入状态寄存器指令被选中，它们由多个
时钟脉冲是八的倍数，它们被接受执行之前。
修改数据的所有指令之前必须有一个写使能（ WREN）指令集
写使能锁存器（ WEL ）位。该位是由下列事件返回到它的复位状态：
•电
- 写禁止（ WRDI ）指令完成或写状态寄存器（ WRSR ）指令
完成或页面编程（ PP ）指令完成或扇区擦除指令（SE）
完成或块擦除（ BE ）指令完成或芯片擦除（ CE ）指令
竣工
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位可以让内存的一部分配置为只读。
这是保护模式（ SPM ）软件。
写保护（ WP ＃ ）信号，使数据块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位和状态寄存器
保护（ SRP）位进行保护。这是硬件保护模式（ HPM ） 。
除了低功耗的特征，深度掉电模式提供额外的
防止意外写，编程和擦除指令，所有指令都是软件保护
忽略了除一个特定的指令（从深度掉电指令的发布） 。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
8
©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
牧师楼发表日期： 2011年7月14日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
