EN25Q64
表3.受保护的区域大小部门组织
状态寄存器的内容
BP3
位
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
BP2
位
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
BP1
位
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
位
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
保护区
无
块0到126
块0到125
块0至123
块0至119
块0至111
块0至95
所有
无
阻止127 〜1
阻止127 2
阻断127个
阻止127 〜8
127座到16
127座至32
所有
内存内容
地址
无
000000h-7EFFFFh
000000h-7DFFFFh
000000h-7BFFFFh
000000h-77FFFFh
000000h-6FFFFFh
000000h-5FFFFFh
000000h-7FFFFFh
无
7FFFFFh-010000h
7FFFFFh-020000h
7FFFFFh-040000h
7FFFFFh-080000h
7FFFFFh-100000h
7FFFFFh-200000h
7FFFFFh-000000h
密度（ KB）
无
8128KB
8064KB
7936KB
7680KB
7168KB
6144KB
8192KB
无
8128KB
8064KB
7936KB
7680KB
7168KB
6144KB
8192KB
一部分
无
低128分之127
低126/128
低一百二十八分之一百二十四
低128分之120
低一百二十八分之一百十二
低128分之96
所有
无
上128分之127
上126/128
上一百二十八分之一百二十四
上128分之120
上一百二十八分之一百十二
上128分之96
所有
说明
所有指令，地址和数据移入和移出器件，最显著位第一。串行
数据输入（ DI ）进行采样，在串行时钟（ CLK ）后片选（ CS ＃ ）是第一个上升沿
驱动为低电平。然后，将1字节的指令代码必须被移位到该设备，最显著位第一，
在串行数据输入（ DI ） ，每一位被锁定在串行时钟（ CLK ）的上升沿。
该指令集被列于表4中的每个指令序列开始的一个字节的指令
代码。根据不同的指令，这随后可能是地址字节，或由数据字节，或由
两个或无。片选（CS ＃ ）必须被驱动为高电平后的指令序列的最后一个比特有
被移入。在读取数据字节（READ ） ，读数据字节的情况下，以更快的速度
（ FAST_READ ） ，读状态寄存器（ RDSR）或者从深度掉电释放，读取设备ID
（ RDI）的指令，所述移动式指令序列，之后是数据输出序列。片选
（ CS ＃ ） ，可驱动高后的数据输出序列中的任何位被移出。
在一个页面编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ）的情况下，块擦除（ BE ） ，芯片擦除（ CE ） ，写
状态寄存器（ WRSR ） ，写使能（ WREN ） ，写禁止（ WRDI ）或深度掉电（ DP ）
指令，片选（ CS ＃ ）必须驱动为高电平正好在字节边界，否则指令
被拒绝，并且不被执行。也就是说，片选（ CS ＃ ）必须驱动为高电平时，时钟的数量
驱动芯片选择（ CS ＃ ）后的脉冲低是8的整数倍。对于网页程序，如果在
只要输入字节是不是一个完整的字节，什么都不会发生， WEL将不会被复位。
在页编程（PP） ，多字节指令的情况下，和从深度掉电释放
（ RES）的指定已被赋予字节的最小数，没有它，则该命令将
忽略不计。
在页编程的情况下，如果一个字节的命令后的数量小于4（至少为1
数据字节） ，它将被忽略了。在SE的情况和BE ，准确的24位地址是必须的，任何
更少或更多的将导致命令被忽略。
所有试图在写状态寄存器周期，项目周期或擦除访问的存储阵列
周期被忽略，内部写状态寄存器周期，项目周期或擦除周期继续
不受影响。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
13
©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
修订版E，发行日期： 2009/10/19
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
